Dr. Semiconductor / YouTube
Техноблогер Dr. Semiconductor показав всі етапи напівпровідникового процесу для створення осередків пам’яті для RAM у власному сараї, який перетворив на “чисте” приміщення.
До цього блогер вже публікував відео того, як перетворив власний сарай на чисте приміщення для виробництва мікросхем. Наразі він стверджує, що вперше в історії власноруч зібрав осередки пам’яті для RAM у домашніх умовах.
За його словами, проблема дефіциту пам’яті, викликана шаленим попитом з боку датацентрів, не єдина, яка впливає на охочих зібрати ПК споживачів. Dr. Semiconductor вказує на ціновий збій на RAM, викликаний ажіотажем навколо ШІ та відсутністю змоги в трьох ключових виробників задовольнити попит. Це також підштовхнуло до зростання цін на GPU та CPU.
“Я перетворив сарай на задньому дворі на чисту кімнату класу 100 для напівпровідникових технологій… але питання в тому, чи можу я виробляти оперативну пам’ять самостійно?”, — зазначає блогер.
Далі Dr. Semiconductor коротко описує принцип роботи RAM і те, яким чином вона значною мірою залежить від великих масивів з конденсаторами та транзисторами. Переходячи до роботи, блогер відрізає кілька кремнієвих чипів від великого листа на початковому етапі підготовки та очищення.
У високотемпературній печі на кремнієву пластину було нанесено шар оксиду. Орієнтовно завтовшки цей шар 330 нм. Поверх нього наноситься адгезійний шар та фоторезистивна плівка. Ультрафіолетове випромінення проєктує трафарет на цю новостворену поверхню. Це дозволяє розчину проявника змити ділянки, які піддались впливу ультрафіолету.
Канали для транзисторів у конструкції формуються наступними етапами. Це включає додаткове травлення шарів, легування відкритих кремнієвих ділянок для підвищення провідності, а також подальший відпал чипів для глибшого проникнення легувальної речовини.
Хочеш знати більше, ніж ChatGPT 5? Підписуйся на ITC.ua у TelegramПІДПИСАТИСЯ
Після кількох ретельно спланованих етапів осадження та подальшої ерозії Dr. Semiconductor перейшов до нанесення тонких металевих шарів на поверхню кремнієвої пластини для створення електричних з’єднань між транзисторами та елементами схем.
СпецпроєктиНовий конкурс авторів ITC.ua: напиши допис та виграй крутий електросамокат і техніку від Proove”Kатка24″ – картка для геймерів від “ПриватБанку”, Visa та NAVI. З нею можна отримати кешбеки, знижки та не тільки
За допомогою крихітного трафарету проводиться точне розпилення алюмінію, залишки видаляються, а повноцінно сформований багатошаровий чип готовий до випробувань. Ці осередки DRAM настільки малі, що власноруч не вдасться під’єднати до них дроти для підключення до вимірювальних приладів. Замість цього використовуються мікроманіпулятори з точним позиціюванням.
Dr. Semiconductor в цілому залишився задоволеним виготовленими мікросхемами DRAM, оскільки вимірювання осередків показали оптимальну місткість 12 пФ. Блогер зазначає, що збирається підготувати значно більший масив готових осередків, які можна буде під’єднати до ПК.
Раніше ми писали, що дослідники з Корнелльського університету створили перший у світі чип, що працює на мікрохвилях замість традиційних цифрових схем. Між тим дослідники з Університету науки та технологій короля Абдалли (KAUST) у Саудівській Аравії створили перший у світі шестишаровий гібридний КМОН-чип.
