Аналогічні транзистори від TSMC
Розробники з Пекінського університету заявили про створення першого у світі двовимірного малопотужного транзистора GAAFET.
Китайські дослідники називають власну розробку «багатошаровою, пластинчастою, монокристалічною двовимірною конфігурацією GAA.
«Це найшвидший і найефективніший транзистор з будь-коли створених. Якщо інновації в області чипів на основі існуючих матеріалів вважаються «коротким шляхом», то наша розробка транзисторів на основі 2D-матеріалів схожа на «зміну смуги руху»», — заявляє керівник дослідження, професор Пен Хайлін.
Розробники запевняють, що їхній транзистор за результатами тестів перевершив аналогічні розробки Intel, TSMC, Samsung та інших виробників. Польові транзистори Gate-all-around, скорочено GAAFET, є наступним етапом еволюції транзисторної технології після MOSFET та FINFET.
Останні іновації у виробництві транзисторів були досягнуті переважно за рахунок покращення контролю за джерелами та кращим зв’язком із затворами. Якщо у MOSFET-транзисторів затвор контактує з джерелом лише в одній площині, у FINFET — затвори торкаються трьох площин, схема Gate-all-around охоплює всі джерела, що перетинаются у затворах.
Такі транзистори не є чимось новим. Технологія виробництва транзисторів необхідна для виготовлення мікросхем на рівні 3 нанометрів та нижче. Однак ключова особливість китайської розробки полягає у двовимірних транзисторах, що зумовлено використанням альтернативних кремнієвим елементів.
У якості альтернативи кремнію китайські розробники використали напівпровідниковий матеріал оксиселенід вісмуту (Bi₂O₂Se), здатний бути двовимірним напівпровідником. Такі напівпровідники більш гнучкі та міцні, коли мають малі розмірі, порівняно із кремнієм, який демонструє знижену рухливість носіїв навіть на рівні у 10 нанометрів.
СпецпроєктиЗапуск свого криптообмінника: види та особливості, ліцензія та маркетингТут готують фахівців з цифровізації України. Репортаж з річниці CDTO Campus
Через торгівельну війну зі США Китай залишився без доступу до таких технологій, як EUV-літографія для виробництва інтегральних схем. У зв’язку з цим Китай інвестував великі кошти у створення альтернативних технологій.
Оскільки США можуть посилити свої торговельні обмеження на доступ Китаю до технологій, включаючи потенційну заборону на технологію GAAFET, китайська технологічна індустрія намагається грати на випередження.
Матеріал опублікований у журналі Nature
СпецпроєктиДобірка аксесуарів HP для навчання та роботи: як залишатись максимально продуктивними у будь-яких умовахВід флоатингу до ударно-хвильової терапії. Ми чотири дні тестували новітні методи масажу спини. Ось результат
